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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設計
基于SMIC 28nm工藝節點仿真結果顯示,新型10T單元結構在電源電壓為1 05V時,和傳統6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作，一般包括對flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒什么變化的，當我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區等。
2020-02-24
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如何對外擴SRAM進行讀寫
如何對SRAM進行讀寫使用指針的方法進行讀寫不需要寫讀寫函數，可以直接使用指針的方式對STM32的內存地址進行訪問。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的，并實現了ECC功能
2020-02-18
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外部SRAM應用場合
SRAM也是隨機尋址數據的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數據，反應時間與存取有序地址的數據一樣短，而SDRAM在這一點上做得并不好。
2020-01-21
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可穿戴電子設備中的SRAM
在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機電流消耗較低，而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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