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外擴(kuò)SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)RAM，以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，
2020-06-12
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武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash
武漢新芯一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI Nor Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆
2020-06-10
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SRAM數(shù)據(jù)存儲原理
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿Ｔ陟o態(tài)CMOS存儲器中
2020-06-04
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低電壓SRAM的重要性
隨著SOC 技術(shù)的發(fā)展，CMOS 工藝尺寸不斷縮小，芯片集成度越來越高，使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來，便攜式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)
2020-06-02
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ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位靜態(tài)RAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度
2020-05-29
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低功耗SRAM主要三部分功耗來源
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展，由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用，如智能手機(jī)、運(yùn)動(dòng)手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已
2020-05-27
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