非易失性FRAM存儲器芯片，無需保持數據的電池，所以保持數據時不產生能耗。而且寫入時間較通用EEPROM及閃存要短，具有寫入能耗低的優點。由于鐵電存儲器不像動態隨機存取存儲器DRAM和SRAM一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數據），它很可能不能取代這些技術。
 
僅僅通過能量回收產生的微小電動勢，就能將數據寫入FRAM，因此，除能量回收以外，即使沒有電池電源，也能夠寫入數據。實際上已確認內置有FRAM的演示設備已經能夠在沒有電池的狀態下寫入數據。也就是說FRAM通過自身的“非易失性”及“高速寫入”，實現了低能耗，為無電池技術提供了解決方案。

 
● 只要彎曲軟質纖維板就能記錄轉數（無電池）
 
富士通以MUNEKATA公司（采用噴涂工藝制作的樹脂系列壓電元件的公司）提供的樹脂系列壓電元件的軟質纖維板（91mm×55mm，名片大小）為能量回收電源，開發了內置FRAM的演示設備。通過該演示設備，已確認僅僅利用彎曲軟質纖維板產生的電動勢，就能將彎曲次數寫入FRAM。
 
● 只要旋轉表盤就能記錄轉數（無電池）
 
iC-Haus公司是富士通的業務伙伴，提供使用韋根線技術、內置有FRAM的演示設備。通過該演示設備，已確認僅僅利用旋轉表盤產生的電動勢，就能將表盤轉數寫入FRAM。請在介紹FRAM的WEB網站中觀看演示設備的實際操作視頻。
 
由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲，它有望在消費者的小型設備中得到廣泛地應用，比如個人數字助理（PDA）、手機、功率表、智能卡以及安全系統。鐵電存儲器比閃存更快。在一些應用上，它也有可能替代電可擦除只讀存儲器EEPROM和靜態隨機存取存儲器SRAM，并成為未來的無線產品的關鍵元件。


宇芯電子代理商提供的富士通FRAM鐵電存儲器

Brand	Density	Part Name	Voltage(V)	Operating Temp. (°C)
Fujitsu	1Mb	MB85RC1MT	1.8~3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	512Kb	MB85RC512T	1.8 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	256Kb	MB85RC256V	2.7 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	128Kb	MB85RC128A	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64V	3.0 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64TA	1.8 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	16Kb	MB85RC16	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	16Kb	MB85RC16V	3.0 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃

 
 
 
關鍵詞：FRAM   富士通

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