GlobalFoundries、三星、臺積電和聯電計劃開始提供自旋轉移力矩磁阻 RAM（spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM）作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，也許在今年年底就要開始實行。這預示著內存市場的將發生一次巨大轉變，因為現在只有 Everspin 在為各種應用提供 MRAM 產品，其中包括替代電池供電的 SRAM、寫緩存（write-cache）等等。

 

STT-MRAM 的下一個大機會是嵌入式內存 IP 市場。傳統的嵌入式內存 NOR 閃存在從 40nm 向 28nm 及以后節點遷移時碰到了許多不同的困難。所以這些代工廠對 STT-MRAM 的大力支持會讓這項技術成為先進節點上對傳統技術的真正意義上的替代技術。

 

STT-MRAM 使用電子自旋的磁性來提供芯片的非易失性。它既具備 SRAM 的速度，也有閃存的非易失，更重要的是它還具有近乎無限的耐久性。

 

“嵌入式閃存將還是惡劣環境中的數據存留之王，尤其是對于汽車和安全應用。”GlobalFoundries 嵌入式內存副總裁 Dave Eggleston 說，“那是嵌入式閃存還將繼續發展的領域。但它的擴展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節點，嵌入式閃存成本就變得昂貴了，并不是一個理想的選擇”

 

所以現在急需一種新的解決方案，而 STT-MRAM 也剛好為 20 幾納米及以后節點的嵌入式內存應用做好了充分的準備。“在用于物聯網、汽車、消費電子和移動設備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的潛力可以完全替代嵌入式閃存。”Web-Feet Research 首席執行官 Alan Niebel，“首先補充然后替代嵌入式 DRAM 和 SRAM 也是 MRAM 的一大機會，因為 MRAM 能為處理器增加持久性的能力。”

 

但是，STT-MRAM 能不能實現人們期待已久的完全替代 DRAM 的期許呢？這還需要多些時日觀察。也許這可能永遠不會發生。但是不管怎樣，MRAM 可能最終會成長為一個大市場，也可能只是一種利基的解決方案；究竟最后會怎樣取決于幾個因素。

 

樂觀的想，也許很快就會有不止一家供應商和一系列應用可以使用 STT-MRAM 了。此外，主要代工廠進軍 STT-MRAM 領域的舉動很可能將會助力這種技術實現規模經濟和成本下降。

 

但這種技術也面臨著一些難題，因為不是所有代工客戶都需要 22nm 及以后節點的芯片。而且，STT-MRAM 是一種相對較新的技術，客戶還需要一些時間才能將其整合進來。另外也還有各種生產制造方面的難題需要解決。
 

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