■產品描述
MB85RS16是FRAM（鐵電存儲器）芯片，配置為2,048×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS
工藝技術形成非易失性存儲單元。MB85RS16采用串行外設接口(SPI)。MB85RS16與SRAM不同，無需備用電池即可保持數據。MB85RS16中使用的存儲單元可用于10¹²次讀/寫操作，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和E2PROM。MB85RS16不會像FLASH或E2PROM那樣需要很長的數據寫入時間，而且MB85RS16不需要等待時間。
 
■特點
•位配置：2,048×8位
•串行外圍設備接口：SPI（串行外設接口）
與SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)通信
•工作頻率：20MHz（最大）
•高耐久性：10¹²（一萬億）次/字節
•數據保持：10年(+85℃),95年(+55℃),200年以上(+35℃)
•工作電源電壓：2.7V到3.6V
•低功耗：工作電流1.5mA（20MHz下的典型值）待機電流5μA（典型值）
•工作環境溫度范圍：−40℃到+85℃
•封裝：8引腳塑料SOP(FPT-8P-M02)
符合RoHS
 
串行外設接口(SPI)
MB85RS16作為SPI的從器件。通過使用配備SPI端口的微控制器可以連接多個器件。使用沒有配備SPI
端口的微控制器，可以通過模擬SPI總線操作。
 
富士通半導體存儲器解決方案為客戶提供以鐵電隨機存取存儲器(FRAM)為中心的存儲器產品和各種解決方案，這是一種高質量和高可靠性的非易失性存儲器。富士通的半導體部門于1999年開始批量生產FRAM，富士通FRAM作為提供非易失性的存儲器產品，即使在斷電時也能保留存儲的數據，以及隨機存取，因此贏得了客戶的好評。與傳統類型的非易失性存儲器（例如EEPROM和閃存）相比，FRAM具有獨特的功能，包括更高的寫入速度、更長的讀/寫周期耐久性和更低的功耗。FRAM的應用范圍很廣，例如IC卡、RFID標簽。代理商宇芯電子支持提供產品測試及相關技術支持。


關鍵詞：富士通FRAM  MB85RS16 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。