舊版存儲不再是使用壽命短的低端設備，因為主要供應商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設備和融合了AI的邊緣計算以及呈指數(shù)增長的物聯(lián)網(wǎng)，“持久”可能是這些根深蒂固的記憶的更好標簽。
 
過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因為它們需要DRAM控制器。SRAM進入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進入更大的存儲器，并伴隨著用于更大存儲器的控制器。
 
傳統(tǒng)存儲器供應商提供可預測的價格和長期客戶支持很重要，因為新設計仍然使用較舊的存儲器。例如早期的DDR，SRAM和NOR閃存已用于醫(yī)療，工業(yè)和智能家居應用中。
 
對于非智能手機和平板電腦設計（例如醫(yī)療設備和工業(yè)平臺），對DDR3內(nèi)存的需求正在增長。在SDRAM中成長，在DDR1中成長，由于DDR3將在DDR2上取得巨大的增長。
 
對舊版內(nèi)存的需求并不總是源于舊設備中更換的內(nèi)存。有一些針對醫(yī)療和工業(yè)系統(tǒng)的處理器供應商仍然圍繞DDR3技術(shù)進行設計。該設備不需要DDR4，這就是為什么要開發(fā)具有不同內(nèi)存要求的不同處理器的原因。
 
傳統(tǒng)存儲器技術(shù)并不排除創(chuàng)新，這是賽普拉斯半導體等公司對“傳統(tǒng)”標簽持謹慎態(tài)度的原因，而寧愿將早期的存儲器規(guī)范稱為“持久性”。即使高性能計算和超大規(guī)模擴展，人工智能和機器學習正在推動采用最新的DDR存儲器，NAND閃存和高帶寬存儲器，但數(shù)據(jù)仍在推動創(chuàng)新。當使用其傳感器和邊緣節(jié)點進入物聯(lián)網(wǎng)時，需求并沒有發(fā)生太大變化。人們?nèi)匀幌胍凸牡臇|西。人們?nèi)匀幌胍煽康臇|西，并且可以按預期工作。
 
這種需求正在扭轉(zhuǎn)NOR閃存等技術(shù)的衰落，NOR閃存技術(shù)在汽車應用中獲得了新的生命。物聯(lián)網(wǎng)和其他新興領(lǐng)域（如可穿戴設備）也對低功耗存儲器產(chǎn)生了要求，這些存儲器具有很小的占地面積，并且可靠且安全。
 
網(wǎng)絡邊緣也在創(chuàng)造新的存儲器應用，包括面向消費者和工業(yè)應用的醫(yī)療保健和分布式IoT傳感器節(jié)點。數(shù)十億個IoT傳感器節(jié)點將需要數(shù)十億個IoT傳感器節(jié)點，而不是千兆字節(jié)的內(nèi)存，而是需要針對IoT應用程序（包括NOR閃存，傳統(tǒng)的異步SRAM或FRAM）進行高度優(yōu)化的專用存儲器。針對用例和應用程序優(yōu)化了這些技術(shù)，而優(yōu)化則是通過最小化功耗或最小化占位面積或獲得適合該應用程序的正確密度大小來實現(xiàn)的。存儲器技術(shù)也可以針對新興應用進行調(diào)整。可以創(chuàng)建全新的產(chǎn)品組合。
 
邊緣計算和5G基礎(chǔ)設施及汽車都對低功耗存儲器（例如NOR閃存）有要求，從而增強了賽普拉斯的“持久”存儲間距。
 
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