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選擇MRAM的理由

來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-07 09:53:36

MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未實現其潛力,但截至2020年初,市場上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片,并且公司正在將該技術用于許多應用。
 
雖然有了這么多的論文和研究成果,但是目前并沒有MRAM實際產品制造出來。
 
另一個有趣的問題就是MRAM保存數據的穩定性,熱穩定性毫無疑問會影響數據的保留期限,溫度越高就越不穩定,這就需要平衡數據保存的期限。
 
一般的半導體數據保存期限是10年,為此需要1bit或者2bit的ECC校驗單元,而sram緩存上已經集成了ECC功能,從這點上來看沒有增加成本,是一種合適的選擇。
 
Intel指出做緩存的情況下,半導體保存數據的期限遠遠沒必要達到10年這么高,可以適當降低熱穩定性要求,這一點是非常重要的,甚至一個月的時間都太長了,能保持數據2周就可以了。

 
考慮到MRAM寫入速度較低的缺點,降低熱穩定性要求其實是好事一件,因為它可能改變MRAM的存儲單元,帶來提高數據寫入速度的可能,使得MRAM更加適合緩存的要求。

關鍵詞:MRAM
 
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