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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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外擴SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位寬為512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術
2022-01-06
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三星西安半導體廠因疫情影響縮減產能
三星電子新聞中心發布公告稱，受新冠疫情持續等影響，正在對西安半導體工廠生產線進行靈活調整。基于以員工安全和健康為重的經營方針做出上
2021-12-30
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以靈動微電子MM32SPIN360C為主控的電動工具控制方案
電動工具是一種由電動機或電磁鐵為動力，通過傳動機構驅動工作頭進行作業的手持式或可移式的機械化工具。電動工具特點是結構輕巧，體積小、
2021-12-28
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DRAM現在發展成什么樣了？
對存儲器而言，追求的始終是更快的速度、更低的功耗和更高的存儲密度。在器件尺寸scaling down的大前提下，存儲容量不能變小，發展過程中
2021-12-24
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ISSI代理32Kx8低功耗SRAM芯片IS62C256AL-45ULI-TR
異步SRAM是一種易失性隨機存取存儲器(RAM)，它使用基于觸發器的鎖存電路來存儲每個位。只要有電源，數據位就會保留在存儲器中。異步SRAM不
2021-12-22
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