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鐵電隨機存儲器FRAM和磁性隨機存儲器MRAM
新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。鐵電隨機存儲器（FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
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如何解決MRAM壽命問題
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質的不規則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導致讀寫錯誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。
2020-10-27
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斷電也能保存MRAM技術精髓
內存技術在幾十年的發展過程中性能提高了不少，但并沒有實質性的改變。因為這些內存產品都是基于動態隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續的
2020-10-26
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非易失性NV-SRAM的應用
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數據，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數據存儲以及幾乎不需要現場維護的場
2020-10-23
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幾種非易失性存儲器的比較
SRAM為數據訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的
2020-10-21
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當,但卻有著標準異步SRAM無法比擬的絕對成本優勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機廠商手機擴展功能的需要。
2020-10-20
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