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SRAM和DRAM主要差異
SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）由CMOS技術組成，使用六個晶體管。它的結構由兩個交叉耦合的反相器組成，用于存儲數據（二進制），類似于觸發(fā)器
2022-11-25
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DDR5的七大優(yōu)勢
DDR5是一種計算機內存規(guī)格。與DDR4內存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低。其它變化還有，電壓從1 2V降低到1 1V，同時每通道32 40位（ECC）
2022-11-21
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靈動微電子MM32F5270系列MCU優(yōu)勢
靈動微電子MM32F5270系列是靈動最新推出的性能型32位MCU產品系列，該系列采用了安謀科技出品的STAR-MC1內核，該內核基于Armv8-M架構實現，C
2022-11-14
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RAM在單片機里的用途
RAM在單片機里的用途，主要是存放臨時數據。例如用單片機測溫，每秒測1次，顯示1分鐘的平均值（1分鐘更新一次），先通過傳感器、放大電路、
2022-11-10
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三星236層3D NAND量產
三星已經開始批量生產其大概為236層的3DNAND存儲器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當與高級控制器結合使用時，它們可以
2022-11-07
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臺積電入局MRAM
早前臺灣工研院攜手臺積電共同發(fā)表的SOT-MRAM技術，能在低電壓、電流的情況下，達到0 4納米的高速寫入，并具備7兆次的耐受度。該項技術未來
2022-11-01
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